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圖片信息
IRFHM8363TRPBF圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IRFHM8363TRPBF
  • 原始制造廠商：IR，國(guó)際整流器
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：場(chǎng)效應(yīng)管陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載IRFHM8363TRPBF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRFHM8363TRPBF
  • 制造廠家名稱(chēng)：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購(gòu)
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
  • 系列：HEXFET
  • FET 類(lèi)型：2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 功能：邏輯電平門(mén)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：11A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：14.9 毫歐 @ 10A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1165pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：2.7W
  • 安裝類(lèi)型：表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝：8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33
  • IRFHM8363TRPBF均從IR代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
    IR產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司 - IRFHM8363TRPBF - IR公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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