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深圳市南皇電子有限公司長期提供BSB013NE2LXI（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
Infineon產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量
BSB013NE2LXI - 南皇電子長期提供競爭力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。
圖片信息
BSB013NE2LXI圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：BSB013NE2LXI
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場(chǎng)效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載BSB013NE2LXI的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：BSB013NE2LXI
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：36A（Ta），163A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：1.3 毫歐 @ 30A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：62nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4400pF @ 12V
  • 功率 - 最大值：2.8W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：3-WDSON
  • 供應(yīng)商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M
  • BSB013NE2LXI均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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    深圳市南皇電子有限公司 - BSB013NE2LXI - Infineon公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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