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      圖片信息
      IPI111N15N3 G圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號:IPI111N15N3 G
    2. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
    5. 點擊此處下載IPI111N15N3 G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. Infineon英飛凌公司完整型號:IPI111N15N3 G
    9. 制造廠家名稱:Infineon Technologies
    10. 描述:MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
    11. 系列:OptiMOS?
    12. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    13. FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
    14. 漏源極電壓 (Vdss):150V
    15. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):83A(Tc)
    16. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):11.1 毫歐 @ 83A,10V
    17. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 160μA
    18. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):55nC @ 10V
    19. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3230pF @ 75V
    20. 功率 - 最大值:214W
    21. 安裝類型:通孔
    22. 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
    23. 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3
    24. IPI111N15N3 G均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    25. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      Infineon產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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