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圖片信息
NSVMMBTH10LT1G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:NSVMMBTH10LT1G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數(shù):RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
  • 點擊此處下載NSVMMBTH10LT1G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NSVMMBTH10LT1G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
  • 零件狀態(tài):有源
  • 晶體管類型:NPN
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):25V
  • 頻率-躍遷:650MHz
  • 噪聲系數(shù)(dB,不同f時的典型值):-
  • 增益:-
  • 功率-最大值:225mW
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):60 @ 4mA,10V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • NSVMMBTH10LT1G均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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