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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：NTMSD6N303R2G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTMSD6N303R2G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：FETKY?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 6A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：950pF @ 24V

FET功能：肖特基二極管（隔離式）

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-SOIC

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