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圖片信息
NAND512R3A2BZA6E圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：NAND512R3A2BZA6E
  • 原始制造廠商：ST，意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲器
  • 點擊此處下載NAND512R3A2BZA6E的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：NAND512R3A2BZA6E
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 產(chǎn)品系列：存儲器
  • 包裝：托盤
  • 系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • 存儲器類型：非易失
  • 存儲器格式：閃存
  • 技術(shù)：閃存 - NAND
  • 存儲容量：512Mb（64M x 8）
  • 存儲器接口：并聯(lián)
  • 時鐘頻率：-
  • 寫周期時間-字，頁：60ns
  • 訪問時間：60ns
  • 電壓-供電：1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝：63-VFBGA
  • NAND512R3A2BZA6E均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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