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圖片信息
TH58BYG2S3HBAI6圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：TH58BYG2S3HBAI6
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：存儲(chǔ)器
  • 點(diǎn)擊此處下載TH58BYG2S3HBAI6的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): TH58BYG2S3HBAI6
  • 制造廠家名稱(chēng): Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能總體簡(jiǎn)述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA
  • 系列: Benand
  • 格式 - 存儲(chǔ)器: EEPROMs - 串行
  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型: EEPROM - NAND
  • 存儲(chǔ)容量: 4G（512M x 8）
  • 速度: 25ns
  • 接口: 并聯(lián)
  • 電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼: 67-VFBGA
  • 供應(yīng)商器件封裝: 67-VFBGA（6.5x8）
  • TH58BYG2S3HBAI6均從Toshiba代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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