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富士電機株式會社推出的“第2代分立式SiC-SBD※系列”功率半導體產(chǎn)品已開始上市發(fā)售，特此通知。該產(chǎn)品將有助于推動數(shù)據(jù)中心和通信基站等實現(xiàn)節(jié)電。

1．背景

      隨著DX（數(shù)字化轉(zhuǎn)型）的啟動、遠程辦公的日益普及以及互聯(lián)網(wǎng)服務得到越來越廣泛的應用，網(wǎng)絡通信量與日俱增，數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備投資加速。與此同時，電源設(shè)備的需求也在不斷増加，電源設(shè)備當前的市場規(guī)模約為3,000億日元，預計到2028年度將會增長至約4,500億日元※。

    數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備運轉(zhuǎn)需要大量的直流電力，因此電源設(shè)備中一般配備有功率半導體（二極管），以便將電力公司供應的交流電高效轉(zhuǎn)換（整流）為直流電。

    功率半導體在通電時會產(chǎn)生電力損耗（恒定損耗）。此次，我們針對數(shù)據(jù)中心和通信基站等的電源設(shè)備，開發(fā)并推出了“第2代分立式SiC-SBD系列”產(chǎn)品，該產(chǎn)品可通過降低電路內(nèi)的恒定損耗來幫助設(shè)備實現(xiàn)節(jié)電。

    我們將面向全球推廣該產(chǎn)品，希望通過推進設(shè)備的節(jié)電為建設(shè)脫碳社會盡一份力。

2．產(chǎn)品特點

將電路板的厚度縮減至三分之一，實現(xiàn)低損耗

      要想降低功率半導體的電力損耗，方法之一是將作為元件的電路板加工得更薄，以縮短電流的傳導距離。與本公司老款產(chǎn)品第1代SiC-SBD系列相比，本產(chǎn)品所配備的SiC（碳化硅）電路板的厚度已降至其三分之一左右，同時，通過調(diào)整芯片結(jié)構(gòu)，使恒定損耗降低了16%※。我們運用公司特有的加工技術(shù)降低電路板厚度，從而打造出行業(yè)最高水平的薄度。此外，該產(chǎn)品還提高了對雷擊引起的大電流的抵抗能力。這些對于提高其搭載設(shè)備的節(jié)能以及可靠性將會起到推動作用。