專注IC現(xiàn)貨行業(yè)多年，您所值得信賴的IC供應(yīng)商！歡迎聯(lián)系我們獲取IC報價，無最低訂購數(shù)量、最快當天發(fā)貨！

IC供應(yīng)商 >> IC制造商行業(yè)新聞 >> IXYS >> IXYS 推出600 V 超結(jié) X3 HiPerFET 立式 MOSFET

IXYS 推出600 V 超結(jié) X3 HiPerFET 立式 MOSFET

IXYS 屬于 Littelfuse Technology，現(xiàn)推出 N 溝道超結(jié) MOSFET，它具有出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(ON) 乘以 Qg），可以實現(xiàn)最低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而在電力系統(tǒng)中獲得更高的功率密度和能源效率。最新的超結(jié) X3 級功率 MOSFET 具有顯著降低的通道電阻 RDS(ON) 和柵極電荷 Qg。與之前的 X2 級相比，該系列的品質(zhì)因數(shù) (FOM) 有了顯著降低，F(xiàn)OM 等于 RDS(ON) × Qg。這些優(yōu)勢使設(shè)計人員能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率和功率密度。該 HiPerFET™ 系列功率 MOSFET 采用體二極管，可提供低反向恢復(fù)電荷 (QRM) 和短反向恢復(fù)時間 (trr)。超結(jié)、X3 級 600 V MOSFETS 可用于下列應(yīng)用，包括電信電源同步整流、電機控制、不間斷電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、太陽能逆變器和多電平逆變器。

資源

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品目錄

工業(yè)電機驅(qū)動器和軟啟動器

智能 LED 照明

特性

低導(dǎo)通電阻 [RDS(ON)] 和低柵極電荷 (QG)

快速軟恢復(fù)體二極管

dv/dt 穩(wěn)健性

卓越的雪崩能力

國際標準封裝

應(yīng)用

輕型電動汽車電池充電器