Nexperia, 分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業(yè)內(nèi)首款專門針對USB4TM標準開發(fā)的ESD保護器件，具有行業(yè)領先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)與有源可控硅（SCR）技術(shù)，USB4TM和Thunderbolt接口設計工程師將會特別感興趣。該器件可實現(xiàn)極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動態(tài)電阻低至0.1 Ω）以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能（，最高可達20A 8/20 μs）。PESD2V8R1BSF采用超低電感SOD962封裝。
Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider評論道：“為避免信號完整性問題，PESD2V8R1BSF ESD保護二極管提供極低的插入損耗和相應的低回波損耗，在10 GHz時分別為-0.21 dB和-17.4 dB。該ESD保護器件可滿足USB 3.2的較高電壓要求。這意味著，該器件可放置在USB Type-C®連接器后面，用于保護耦合電容，同時仍與USB3.2向后兼容�！�
TrEOS保護二極管采用非常緊湊、非�？煽康腄SN0603-2 (SOD962)封裝。這種廣泛使用的0603外形尺寸能夠帶來諸多優(yōu)勢，包括電感極低，可提供快速保護，并且可集成到單片電路中，無需焊線，從而減少了機械應力和熱應力。
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