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碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體的領(lǐng)先制造商 UnitedSiC 已響應(yīng)電源設(shè)計(jì)人員對更高性能、更高效率的 SiC FET 的要求，宣布推出業(yè)界最佳的 750V， 6 毫歐裝置。在 R DS(on)值不到最接近的 SiC MOSFET 競爭對手的一半，新的 6mohm 器件還提供 5μs 的穩(wěn)健短路耐受時(shí)間額定值。今天發(fā)布的產(chǎn)品包括 750V SiC FET 系列中的 9 種新器件/封裝選項(xiàng)，額定值為 6、9、11、23、33 和 44mohms。所有器件均采用 TO-247-4L 封裝，而 18、23、33、44 和 60mohm 器件也采用 TO-247-3L 封裝。與現(xiàn)有的 18 和 60mohm 器件相輔相成，這個(gè) 750V 擴(kuò)展系列為設(shè)計(jì)人員提供了更多的器件選擇，實(shí)現(xiàn)了更大的設(shè)計(jì)靈活性，以實(shí)現(xiàn)最佳的成本/效率權(quán)衡，同時(shí)保持充足的設(shè)計(jì)余量和電路穩(wěn)健性。

UnitedSiC 的第 4 代 SiC FET 是 SiC JFET 和共同封裝的硅 MOSFET 的“共源共柵”。這些共同提供了寬帶隙技術(shù)的全部優(yōu)勢——高速、低損耗和高溫操作，同時(shí)保持簡單、穩(wěn)定和強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)和集成 ESD 保護(hù)。這些優(yōu)勢通過品質(zhì)因數(shù) (FoM) 進(jìn)行量化，例如 R DS(on) x A，衡量每單位芯片面積的傳導(dǎo)損耗。第 4 代 SiC FET 在高和低芯片溫度下均達(dá)到市場最低值。FoM R DS(on) x E OSS/ Q OSS在硬開關(guān)應(yīng)用中很重要，是最接近的競爭對手值的一半。FoM R DS(on) x C OSS(tr)在軟開關(guān)應(yīng)用中至關(guān)重要，UnitedSiC 器件的價(jià)值比競爭對手的器件低約 30%，額定電壓為 650V，而 UnitedSiC 的額定電壓為 750V。對于硬開關(guān)應(yīng)用，SiC FET 的集成體二極管在恢復(fù)速度和正向壓降方面優(yōu)于競爭的 Si MOSFET 或 SiC MOSFET 技術(shù)。第 4 代技術(shù)的其他優(yōu)勢包括通過先進(jìn)的晶圓減薄技術(shù)和銀燒結(jié)芯片連接降低芯片到外殼的熱阻。這些特性可在要求苛刻的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最大功率輸出，以實(shí)現(xiàn)低芯片溫升。

憑借在開關(guān)效率和導(dǎo)通電阻方面的最新改進(jìn)，新型 UnitedSiC SiC FET 非常適合具有挑戰(zhàn)性的新興應(yīng)用。其中包括電動(dòng)汽車中的牽引驅(qū)動(dòng)器和車載和非車載充電器，以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉(zhuǎn)換器和 AC/DC 或 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換中單向和雙向功率轉(zhuǎn)換的所有階段。成熟的應(yīng)用也受益于使用這些器件輕松提高效率，因?yàn)樗鼈兿蚝蠹嫒?Si MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器以及成熟的 TO-247 封裝。

正如 UnitedSiC 總裁兼首席執(zhí)行官 Chris Dries 所說：“UnitedSiC 第 4 代 SiC FET 無疑是競爭技術(shù)中的性能領(lǐng)導(dǎo)者，并為寬帶隙開關(guān)技術(shù)樹立了新的標(biāo)桿。新增的產(chǎn)品系列現(xiàn)在為所有性能和預(yù)算規(guī)格以及更廣泛的應(yīng)用提供了更多選擇。”

新型 750V 第 4 代 SiC FET 的定價(jià)（1000 片以上，美國離岸價(jià)）從 UJ4C075044K3S 的 4.15 美元到 UJ4SC075006K4S 的 23.46 美元不等。所有設(shè)備均可從授權(quán)UnitedSiC代理商處獲得。